DSG140N12N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DSG140N12N3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 114 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 264 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de DSG140N12N3 MOSFET
DSG140N12N3 Datasheet (PDF)
dsg140n12n3 dse140n12n3.pdf

DSG140N12N3&DSE140N12N3 120V/12m/70A N-MOSFET Features Key ParametersVDS Low on resistance 120VRDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 12mID 100% single pulse avalanche energy test 70ACiss@10V 100% VDS test 1901pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 4.7nCApplications Power switching applications DC-DC converters F
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHS052N10B | DHS052N10 | DHS051N10P | DHS046N10I | DHS046N10F | DHS046N10E | DHS046N10D | DHS046N10B | DHS046N10 | DHS030N88I | DHS030N88F | DHS030N88E | DHS030N88 | DHS025N88I | DHS025N88F | DHS025N88E
Popular searches
ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100