DSG140N12N3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DSG140N12N3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 264 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DSG140N12N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSG140N12N3 даташит

 ..1. Size:1506K  cn wxdh
 dsg140n12n3 dse140n12n3.pdf pdf_icon

DSG140N12N3

DSG140N12N3&DSE140N12N3 120V/12m /70A N-MOSFET Features Key Parameters VDS Low on resistance 120V RDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 12m ID 100% single pulse avalanche energy test 70A Ciss@10V 100% VDS test 1901pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 4.7nC Applications Power switching applications DC-DC converters F

Другие IGBT... DSG048N08N3, DSG052N14N, DSG053N08N3, DSG054N10N3, DSG059N15NA, DSG070N10L3, DSG070N15NA, DSG108N20NA, NCEP15T14, DSG270N12N3, DSN108N20N, DHS025N88E, DHS025N88F, DHS025N88I, DHS030N88, DHS030N88E, DHS030N88F