DSG140N12N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DSG140N12N3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 264 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для DSG140N12N3
DSG140N12N3 Datasheet (PDF)
dsg140n12n3 dse140n12n3.pdf

DSG140N12N3&DSE140N12N3 120V/12m/70A N-MOSFET Features Key ParametersVDS Low on resistance 120VRDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 12mID 100% single pulse avalanche energy test 70ACiss@10V 100% VDS test 1901pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 4.7nCApplications Power switching applications DC-DC converters F
Другие MOSFET... DSG048N08N3 , DSG052N14N , DSG053N08N3 , DSG054N10N3 , DSG059N15NA , DSG070N10L3 , DSG070N15NA , DSG108N20NA , IRFP450 , DSG270N12N3 , DSN108N20N , DHS025N88E , DHS025N88F , DHS025N88I , DHS030N88 , DHS030N88E , DHS030N88F .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMH65R190PSFD | JMH65R190PFFD | JMH65R190PEFD | JMH65R190PCFD | JMH65R190AW | JMH65R190AS | JMH65R190APLNFD | JMH65R190APLN | JMH65R190AFFD | JMH65R190AF | JMH65R190AE | JMH65R190ACFP | JMH65R190ACFDQ | JMH65R190AC | JMSH1509PG | JMSH1509PE
Popular searches
ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100