Справочник MOSFET. DSG140N12N3

 

DSG140N12N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DSG140N12N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 264 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для DSG140N12N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSG140N12N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1506K  cn wxdh
 dsg140n12n3 dse140n12n3.pdf pdf_icon

DSG140N12N3

DSG140N12N3&DSE140N12N3 120V/12m/70A N-MOSFET Features Key ParametersVDS Low on resistance 120VRDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 12mID 100% single pulse avalanche energy test 70ACiss@10V 100% VDS test 1901pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 4.7nCApplications Power switching applications DC-DC converters F

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.