FQU8P10 Todos los transistores

 

FQU8P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQU8P10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.53 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251 IPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

FQU8P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:705K  fairchild semi
 fqd8p10tf fqd8p10tm fqd8p10 fqu8p10 fqu8p10tu.pdf pdf_icon

FQU8P10

TMQFETFQD8P10 / FQU8P10100V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -6.6A, -100V, RDS(on) = 0.53 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF)This advanced technology has been especially tailored

Otros transistores... FQU2N90TUAM002 , FQU3N50C , FQU4N50TUWS , FQU5N40 , FDMC7582 , FQU5N60C , FDMQ8403 , FQU5P20 , AON7408 , FQU9N25 , HUF75542P3 , HUF75631S3S , FDB86135 , HUF75639S3 , FDD86252 , HUF75842P3 , HUF75852G3 .

History: HSCB2307 | BRCS035N03ZC | WNM2024 | FCU5N60 | VBZM60N06 | AP4506GEM | SDF04N65

 

 
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