FQU8P10 Todos los transistores

 

FQU8P10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQU8P10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.53 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251 IPAK
 

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FQU8P10 PDF Specs

 ..1. Size:705K  fairchild semi
 fqd8p10tf fqd8p10tm fqd8p10 fqu8p10 fqu8p10tu.pdf pdf_icon

FQU8P10

TM QFET FQD8P10 / FQU8P10 100V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -6.6A, -100V, RDS(on) = 0.53 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF) This advanced technology has been especially tailored... See More ⇒

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