DSE026N10N3A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DSE026N10N3A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 108 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2398 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm

Encapsulados: TO263

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DSE026N10N3A datasheet

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DSE026N10N3A

DSE026N10N3A 100V/2.2m /180A N-MOSFET Features Key Parameters VDS AEC-Q101 qualified 100V RDS(on)typ. Low on resistance 2.2m Low reverse transfer capacitances VTH 3V ID(Silicon limit) 100% single pulse avalanche energy test 240A ID (Package limit) 100% VDS test 180A Ciss@10V Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 7035pF Qgd 27nC Application

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DSE026N10N3A

DSE026N10NA&DSG028N10NA 180A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description This N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 100V DSS advanced splite gate trench technology design, provided R = 2.4m T0-220 DS(on) (TYP) excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G the RoHS standard. R = 2.2m T0-263 DS(on) (TYP) 1 3 S I = 180A D 2

 9.1. Size:1192K  cn wxdh
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DSE026N10N3A

DSG030N10N3/DSE028N10N3 170A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used V = 100V DSS advanced splite gate trench technology design, provided 2 D excellent Rdson and low gate charge. Which accords with R = 2.6m TO-220 DS(on) (TYP) the RoHS standard. G R = 2.4m TO-263 DS(on) (TYP) 1 2 Features 3

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DSE026N10N3A

DSE022N10N3&DSG024N10N3 100V/1.7m /240A N-MOSFET Features Key Parameters VDS Low on resistance 100V RDS(on)typ. TO-263 Low reverse transfer capacitances 1.7m RDS(on)typ. TO-220 100% single pulse avalanche energy test 1.9m 100% VDS test VTH 3V ID Silicon limit Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 364A ID Package limit 240A

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