DSE047N08N3 Todos los transistores

 

DSE047N08N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DSE047N08N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 705 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0043 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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DSE047N08N3 Datasheet (PDF)

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 dsg047n08n3 dse047n08n3.pdf pdf_icon

DSE047N08N3

DSG047N08N3&DSE047N08N3120A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThis N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 80VDSSadvanced splite gate trench technology design, providedR = 3.9mT0-220DS(on) (TYP)excellent Rdson and low gate charge. Which accords withGthe RoHS standard. R = 3.7mT0-263DS(on) (TYP)13 SI = 120AD2 F

 9.1. Size:1037K  cn wxdh
 dse043n14n dsg045n14n.pdf pdf_icon

DSE047N08N3

DSE043N14N&DSG045N14N180A 135V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 Description2 D V =135VDSSThis N-channel enhancement mode power MOSFETutilizes advanced Split Gate Trench technology, whichR =3.7mTO-263DS(on) (TYP)Gprovides excellent Rdson and low Gate charge at the same1R =3.9mTO-220DS(on) (TYP)time. Which accords with the RoHS standard.3 SI

Otros transistores... DHS046N10I , DHS051N10P , DHS052N10 , DHS052N10B , DSE026N10N3A , DSE026N10NA , DSE028N10N3 , DSE043N14N , IRFB31N20D , DSE050N14N , DSE051N08N3 , DSE054N10N3 , DSE058N15NA , DSE065N10L3A , DSE108N20NA , DSE140N12N3 , DSE270N12N3 .

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