DSE058N15NA Todos los transistores

 

DSE058N15NA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DSE058N15NA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 112 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 611 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de DSE058N15NA MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

DSE058N15NA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:928K  cn wxdh
 dse058n15na.pdf pdf_icon

DSE058N15NA

DSE058N15NA150A 150V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 Description2 DV =150VDSSThese N-channel enhancement mode power MOSFETutilizes advanced Split Gate Trench technology, whichG R = 5.0mDS(on) (TYP)provides excellent Rdson and low Gate charge at the same1time. Which accords with the RoHS standard.3 S I = 150AD2 Features Low on resistance Low gat

 9.1. Size:1000K  cn wxdh
 dsg053n08n3 dse051n08n3.pdf pdf_icon

DSE058N15NA

DSG053N08N3&DSE051N08N3120A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThis N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 80VDSSadvanced splite gate trench technology design, providedR = 4.8mT0-220DS(on) (TYP)excellent Rdson and low gate charge. Which accords withGthe RoHS standard. R = 4.4mT0-263DS(on) (TYP)13 SI = 120AD2 F

 9.2. Size:1388K  cn wxdh
 dse054n10n3 dsg054n10n3.pdf pdf_icon

DSE058N15NA

DSE054N10N3&DSG054N10N3 100V/4.6m/140A N-MOSFET Features Key ParametersVDS Low on resistance 100VRDS(on)typ.TO-263 Low reverse transfer capacitances 4.6mRDS(on)typ.TO-220 100% single pulse avalanche energy test 4.8mID 100% VDS test 140A Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Vth 3VCiss@10V4912pFQgd 16nCApplications M

 9.3. Size:1036K  cn wxdh
 dsg052n14n dse050n14n.pdf pdf_icon

DSE058N15NA

DSG052N14N/DSE050N14N180A 135V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 Description2 D V =135VDSSThis N-channel enhancement mode power MOSFETutilizes advanced Split Gate Trench technology, whichR =3.7mTO-263DS(on) (TYP)Gprovides excellent Rdson and low Gate charge at the same1R =3.9mTO-220DS(on) (TYP)time. Which accords with the RoHS standard.3 SI

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.