DSE058N15NA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DSE058N15NA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 611 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm

Encapsulados: TO263

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de DSE058N15NA MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

DSE058N15NA datasheet

 ..1. Size:928K  cn wxdh
 dse058n15na.pdf pdf_icon

DSE058N15NA

DSE058N15NA 150A 150V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description 2 D V =150V DSS These N-channel enhancement mode power MOSFET utilizes advanced Split Gate Trench technology, which G R = 5.0m DS(on) (TYP) provides excellent Rdson and low Gate charge at the same 1 time. Which accords with the RoHS standard. 3 S I = 150A D 2 Features Low on resistance Low gat

 9.1. Size:1000K  cn wxdh
 dsg053n08n3 dse051n08n3.pdf pdf_icon

DSE058N15NA

DSG053N08N3&DSE051N08N3 120A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description This N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 80V DSS advanced splite gate trench technology design, provided R = 4.8m T0-220 DS(on) (TYP) excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G the RoHS standard. R = 4.4m T0-263 DS(on) (TYP) 1 3 S I = 120A D 2 F

 9.2. Size:1388K  cn wxdh
 dse054n10n3 dsg054n10n3.pdf pdf_icon

DSE058N15NA

DSE054N10N3&DSG054N10N3 100V/4.6m /140A N-MOSFET Features Key Parameters VDS Low on resistance 100V RDS(on)typ. TO-263 Low reverse transfer capacitances 4.6m RDS(on)typ. TO-220 100% single pulse avalanche energy test 4.8m ID 100% VDS test 140A Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Vth 3V Ciss@10V 4912pF Qgd 16nC Applications M

 9.3. Size:1036K  cn wxdh
 dsg052n14n dse050n14n.pdf pdf_icon

DSE058N15NA

DSG052N14N/DSE050N14N 180A 135V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description 2 D V =135V DSS This N-channel enhancement mode power MOSFET utilizes advanced Split Gate Trench technology, which R =3.7m TO-263 DS(on) (TYP) G provides excellent Rdson and low Gate charge at the same 1 R =3.9m TO-220 DS(on) (TYP) time. Which accords with the RoHS standard. 3 S I

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... DSE026N10N3A, DSE026N10NA, DSE028N10N3, DSE043N14N, DSE047N08N3, DSE050N14N, DSE051N08N3, DSE054N10N3, IRFB31N20D, DSE065N10L3A, DSE108N20NA, DSE140N12N3, DSE270N12N3, DSG014N04N, DSG019N04L, DSG024N10N3, DHS052N10D