FQU9N25 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQU9N25  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.42 Ohm

Encapsulados: TO251 IPAK

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FQU9N25 datasheet

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FQU9N25

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQD9N25 / FQU9N25 250V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 7.4A, 250V, RDS(on) = 0.42 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 15.5 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 15 pF) This advanced technology

 ..2. Size:905K  onsemi
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FQU9N25

FQD9N25 / FQU9N25 N-Channel QFET MOSFET 250 V, .4 A, Features 7.4 A, 250 V, RDS(on) = 420 m (Max.) @VGS = 10 V, ID = 3.7 A Description Low Gate Charge (Typ. 15.5 nC) This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using ON Semiconductor s proprietary Low Crss (Typ. 15 pF) planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has

Otros transistores... FQU3N50C, FQU4N50TUWS, FQU5N40, FDMC7582, FQU5N60C, FDMQ8403, FQU5P20, FQU8P10, IRF4905, HUF75542P3, HUF75631S3S, FDB86135, HUF75639S3, FDD86252, HUF75842P3, HUF75852G3, HUFA75307T3ST