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DSG014N04N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DSG014N04N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 333 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5403 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET DSG014N04N

 

Principales características: DSG014N04N

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DSG014N04N

DSG014N04N 40V/1.3m /200A N-MOSFET Features Key Parameters Low on resistance VDS 40V Low reverse transfer capacitances RDS(on)typ. 1.3m 100% single pulse avalanche energy test ID (Silicon limit) 400A 100% VDS test ID (Package limit) 200A Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Vth 2.9V Ciss@10V 9669pF Applications Qgd 11.5nC Motor Control and Drive

 9.1. Size:1665K  cn wxdh
 dsg019n04l.pdf pdf_icon

DSG014N04N

DSG019N04L 40V/1.6m /180A N-MOSFET Features Key Parameters Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 40V RDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 1.6m ID Silicon Limit 100% single pulse avalanche energy test 261A ID Package Limit 100% VDS test 180A Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Vth 1.6V Ciss@10V 5275pF Qgd 7.3nC Applicatio

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