DSE012N04NA Todos los transistores

 

DSE012N04NA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DSE012N04NA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 333 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 118 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5403 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00115 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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DSE012N04NA Datasheet (PDF)

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DSE012N04NA

DSE012N04NA 40V/0.85m/200A N-MOSFET Features Key ParametersVDS AEC-Q101 qualified 40VRDS(on)typ. Low on resistance 0.85mID (Silicon limit) Low reverse transfer capacitances 400AID (Package limit) 100% single pulse avalanche energy test 200A 100% VDS test Vth 2.9VCiss@10V Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 9669pFQgd 11.5nCApplica

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