DSE012N04NA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DSE012N04NA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 333 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5403 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00115 Ohm

Encapsulados: TO263

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de DSE012N04NA MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

DSE012N04NA datasheet

 ..1. Size:1460K  cn wxdh
 dse012n04na.pdf pdf_icon

DSE012N04NA

DSE012N04NA 40V/0.85m /200A N-MOSFET Features Key Parameters VDS AEC-Q101 qualified 40V RDS(on)typ. Low on resistance 0.85m ID (Silicon limit) Low reverse transfer capacitances 400A ID (Package limit) 100% single pulse avalanche energy test 200A 100% VDS test Vth 2.9V Ciss@10V Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 9669pF Qgd 11.5nC Applica

Otros transistores... DHS065N85I, DHS065N85P, DHSJ11N65, DHSJ13N65, DHSJ17N65, DHSJ21N65W, DHSJ21N65Z, DHSJ25N65F, IRFP260N, DSE022N10N3, F4N60, F4N65, F4N70, F50N06, F50N20, F5N65C, F5N80