DSE012N04NA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DSE012N04NA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 333 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5403 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00115 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET DSE012N04NA
Principales características: DSE012N04NA
dse012n04na.pdf
DSE012N04NA 40V/0.85m /200A N-MOSFET Features Key Parameters VDS AEC-Q101 qualified 40V RDS(on)typ. Low on resistance 0.85m ID (Silicon limit) Low reverse transfer capacitances 400A ID (Package limit) 100% single pulse avalanche energy test 200A 100% VDS test Vth 2.9V Ciss@10V Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 9669pF Qgd 11.5nC Applica
Otros transistores... DHS065N85I , DHS065N85P , DHSJ11N65 , DHSJ13N65 , DHSJ17N65 , DHSJ21N65W , DHSJ21N65Z , DHSJ25N65F , IRFP260N , DSE022N10N3 , F4N60 , F4N65 , F4N70 , F50N06 , F50N20 , F5N65C , F5N80 .
History: I25N10
History: I25N10
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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