DSE022N10N3 Todos los transistores

 

DSE022N10N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DSE022N10N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 240 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 177 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3463 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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DSE022N10N3 Datasheet (PDF)

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 dse022n10n3 dsg024n10n3.pdf pdf_icon

DSE022N10N3

DSE022N10N3&DSG024N10N3 100V/1.7m/240A N-MOSFET Features Key ParametersVDS Low on resistance 100VRDS(on)typ.TO-263 Low reverse transfer capacitances 1.7mRDS(on)typ.TO-220 100% single pulse avalanche energy test 1.9m 100% VDS test VTH 3VIDSilicon limit Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 364AIDPackage limit240A

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DSE022N10N3

DSG030N10N3/DSE028N10N3170A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedV = 100VDSSadvanced splite gate trench technology design, provided2 Dexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withR = 2.6mTO-220DS(on) (TYP)the RoHS standard.GR = 2.4mTO-263DS(on) (TYP)12 Features 3

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DSE022N10N3

DSE026N10N3A 100V/2.2m/180A N-MOSFET Features Key ParametersVDS AEC-Q101 qualified 100VRDS(on)typ. Low on resistance 2.2m Low reverse transfer capacitances VTH 3VID(Silicon limit) 100% single pulse avalanche energy test 240AID (Package limit) 100% VDS test 180ACiss@10V Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 7035pFQgd 27nCApplication

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 dse026n10na dsg028n10na.pdf pdf_icon

DSE022N10N3

DSE026N10NA&DSG028N10NA180A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThis N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 100VDSSadvanced splite gate trench technology design, providedR = 2.4mT0-220DS(on) (TYP)excellent Rdson and low gate charge. Which accords withGthe RoHS standard. R = 2.2mT0-263DS(on) (TYP)13 SI = 180AD2

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