F5N65C Todos los transistores

 

F5N65C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: F5N65C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de F5N65C MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

F5N65C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1312K  cn wxdh
f5n65c.pdf pdf_icon

F5N65C

F5N65C5A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the self-alignedVDSS = 650Vplanar technology which reduce the conduction loss, improve switchingI = 5ADperformance and enhance the avalanche energy. Which accords with theRoHS standard.TO-220F provides insulation voltage rated at 2000V RMSRDS(on)TYP)=

 0.1. Size:474K  sisemi
sif5n65c.pdf pdf_icon

F5N65C

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF5N65CN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF5N65CN- MOS / N-CHANN

 0.2. Size:1011K  feihonltd
fhu5n65c fhd5n65c fhp5n65c fhf5n65c.pdf pdf_icon

F5N65C

N N-CHANNEL MOSFET FHU5N65C/FHD5N65C/FHP5N65C/FHF5N65C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 5A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 3.5pF) Low Crss (typical 3.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.1 Fast switching Qg-typ 14.5nC 100% 100% avalanche tested

 0.3. Size:359K  maple semi
slp5n65c slf5n65c.pdf pdf_icon

F5N65C

SLP5N65C / SLF5N65C650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 4.5A, 650V, RDS(on)typ. = 2.6@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 16nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


F5N65C
  F5N65C
  F5N65C
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: F8N50 | F80N06 | F7N80 | F7N70 | F7N60 | F740 | F6N90 | F640 | F630 | F5N80 | F5N65C | F50N20 | F50N06 | F4N70 | F4N65 | F4N60

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

10n60 | 2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315 | a1013 | 2sb554

 


 
.