FD120N10ZR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FD120N10ZR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 117 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1026 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
FD120N10ZR Datasheet (PDF)
d120n10zr fd120n10zr id120n10zr ed120n10zr.pdf

D120N10ZR/FD120N10ZR/ID120N10ZR/ED120N10ZR120A100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power MOSFETS2 DVDS = 100VUsed advanced Split Gate technology design, providedexcellent RDSON and low gate charge. Which accords withRDS = 3.3m(on) (TYP)Gthe RoHS standard.1ID = 120A3 S2 Features Low On Resistance Low
irfd120pbf.pdf

PD- 95928IRFD120PbF Lead-Free10/27/04Document Number: 91128 www.vishay.com1IRFD120PbFDocument Number: 91128 www.vishay.com2IRFD120PbFDocument Number: 91128 www.vishay.com3IRFD120PbFDocument Number: 91128 www.vishay.com4IRFD120PbFDocument Number: 91128 www.vishay.com5IRFD120PbFDocument Number: 91128 www.vishay.com6IRFD120PbFPeak Diode Recovery
irfd120 sihfd120.pdf

IRFD120, SiHFD120Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.27RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 16COMPLIANT End StackableQgs (nC) 4.4Qgd (nC) 7.7 175 C Operating TemperatureConfiguration Single Fast SwitchingD Ease of Par
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Liste
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