FD120N10ZR - описание и поиск аналогов

 

FD120N10ZR - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FD120N10ZR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1026 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для FD120N10ZR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FD120N10ZR технические параметры

 ..1. Size:1084K  cn wxdh
d120n10zr fd120n10zr id120n10zr ed120n10zr.pdfpdf_icon

FD120N10ZR

D120N10ZR/FD120N10ZR /ID120N10ZR/ED120N10ZR 120A100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power MOSFETS 2 D VDS = 100V Used advanced Split Gate technology design, provided excellent RDSON and low gate charge. Which accords with RDS = 3.3m (on) (TYP) G the RoHS standard. 1 ID = 120A 3 S 2 Features Low On Resistance Low

 9.1. Size:1821K  international rectifier
irfd120pbf.pdfpdf_icon

FD120N10ZR

PD- 95928 IRFD120PbF Lead-Free 10/27/04 Document Number 91128 www.vishay.com 1 IRFD120PbF Document Number 91128 www.vishay.com 2 IRFD120PbF Document Number 91128 www.vishay.com 3 IRFD120PbF Document Number 91128 www.vishay.com 4 IRFD120PbF Document Number 91128 www.vishay.com 5 IRFD120PbF Document Number 91128 www.vishay.com 6 IRFD120PbF Peak Diode Recovery

 9.2. Size:176K  international rectifier
irfd120.pdfpdf_icon

FD120N10ZR

 9.3. Size:1828K  vishay
irfd120 sihfd120.pdfpdf_icon

FD120N10ZR

IRFD120, SiHFD120 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 100 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.27 RoHS* For Automatic Insertion Qg (Max.) (nC) 16 COMPLIANT End Stackable Qgs (nC) 4.4 Qgd (nC) 7.7 175 C Operating Temperature Configuration Single Fast Switching D Ease of Par

Другие MOSFET... F740 , F7N60 , F7N70 , F7N80 , F80N06 , F8N50 , F8N60 , F8N65 , IRLB4132 , FN6005 , I110N04 , I20N50 , I25N10 , I50N06 , I630 , I640 , I740 .

 

 
Back to Top

 


 
.