HUF75842P3 Todos los transistores

 

HUF75842P3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HUF75842P3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 144 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de HUF75842P3 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HUF75842P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  fairchild semi
huf75842p3.pdf pdf_icon

HUF75842P3

HUF75842P3, HUF75842S3SData Sheet December 200143A, 150V, 0.042 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeaturesSOURCE DRAIN Ultra Low On-ResistanceDRAIN (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.042, VGS = 10VGATE Simulation ModelsSOURCE - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical ModelsDRAIN- Spice and SABER Therm

 6.1. Size:196K  fairchild semi
huf75842s3s huf75842s3st.pdf pdf_icon

HUF75842P3

HUF75842P3, HUF75842S3SData Sheet December 200143A, 150V, 0.042 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeaturesSOURCE DRAIN Ultra Low On-ResistanceDRAIN (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.042, VGS = 10VGATE Simulation ModelsSOURCE - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical ModelsDRAIN- Spice and SABER Therm

 8.1. Size:193K  fairchild semi
huf75852g3.pdf pdf_icon

HUF75842P3

HUF75852G3Data Sheet December 200175A, 150V, 0.016 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-247FeaturesSOURCE Ultra Low On-ResistanceDRAINGATE- rDS(ON) = 0.016, VGS = 10V Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical Models- Spice and SABER Thermal Impedance Models- www.fairchildsemi.comDRAIN(TAB) Pe

 8.2. Size:259K  fairchild semi
huf75852g3 f085.pdf pdf_icon

HUF75842P3

HUFA75852G3_F085Data Sheet December 201175A, 150V, 0.016 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-247FeaturesSOURCE Ultra Low On-ResistanceDRAINGATE- rDS(ON) = 0.016, VGS = 10V Peak Current vs Pulse Width Curve UIS Rating Curve Qualified to AEC Q101 RoHS CompliantDRAIN(TAB)Ordering InformationSymbolPART NUMBER PACKAGE BRA

Otros transistores... FQU5P20 , FQU8P10 , FQU9N25 , HUF75542P3 , HUF75631S3S , FDB86135 , HUF75639S3 , FDD86252 , IRF4905 , HUF75852G3 , HUFA75307T3ST , HUFA75321D3S , HUFA75344S3 , HUFA75639S3S , FDD86110 , HUFA76407DK8TF085 , HUFA76409D3ST .

History: WMM10N60C4 | IRF7483MTRPBF | KIA65R420

 

 
Back to Top

 


 
.