HUF75842P3 Todos los transistores

 

HUF75842P3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HUF75842P3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm

Encapsulados: TO220

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HUF75842P3 datasheet

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HUF75842P3

HUF75842P3, HUF75842S3S Data Sheet December 2001 43A, 150V, 0.042 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Features SOURCE DRAIN Ultra Low On-Resistance DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.042 , VGS = 10V GATE Simulation Models SOURCE - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical Models DRAIN - Spice and SABER Therm

 6.1. Size:196K  fairchild semi
huf75842s3s huf75842s3st.pdf pdf_icon

HUF75842P3

HUF75842P3, HUF75842S3S Data Sheet December 2001 43A, 150V, 0.042 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Features SOURCE DRAIN Ultra Low On-Resistance DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.042 , VGS = 10V GATE Simulation Models SOURCE - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical Models DRAIN - Spice and SABER Therm

 8.1. Size:193K  fairchild semi
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HUF75842P3

HUF75852G3 Data Sheet December 2001 75A, 150V, 0.016 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC TO-247 Features SOURCE Ultra Low On-Resistance DRAIN GATE - rDS(ON) = 0.016 , VGS = 10V Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical Models - Spice and SABER Thermal Impedance Models - www.fairchildsemi.com DRAIN (TAB) Pe

 8.2. Size:259K  fairchild semi
huf75852g3 f085.pdf pdf_icon

HUF75842P3

HUFA75852G3_F085 Data Sheet December 2011 75A, 150V, 0.016 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC TO-247 Features SOURCE Ultra Low On-Resistance DRAIN GATE - rDS(ON) = 0.016 , VGS = 10V Peak Current vs Pulse Width Curve UIS Rating Curve Qualified to AEC Q101 RoHS Compliant DRAIN (TAB) Ordering Information Symbol PART NUMBER PACKAGE BRA

Otros transistores... FQU5P20, FQU8P10, FQU9N25, HUF75542P3, HUF75631S3S, FDB86135, HUF75639S3, FDD86252, IRF4905, HUF75852G3, HUFA75307T3ST, HUFA75321D3S, HUFA75344S3, HUFA75639S3S, FDD86110, HUFA76407DK8TF085, HUFA76409D3ST

 

 

 

 

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