N6005 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: N6005 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 220 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1624 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
Encapsulados: TO220
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N6005 datasheet
n6005 fn6005 in6005 en6005 n6005d n6005b.pdf
N6005/FN6005/IN6005 EN6005/N6005D/N6005B 180A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 60V DSS advanced Splite gate technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 2.2m DS(on) (TYP) 1 the RoHS standard. 3 S I = 180A D 2 Features Fast switching Low o
Otros transistores... I25N10, I50N06, I630, I640, I740, I80N06, ID120N10ZR, IN6005, IRFB3607, N6005B, N6005D, FBM80N70P, FBM80N70B, FBM85N80P, FBM85N80B, JMSL0315AP, JMSL0315APD
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: IRFB3806 | IRFH8318PBF | 2N60G-T60-K
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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