N6005 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: N6005
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1624 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для N6005
N6005 Datasheet (PDF)
n6005 fn6005 in6005 en6005 n6005d n6005b.pdf
N6005/FN6005/IN6005EN6005/N6005D/N6005B180A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 60VDSSadvanced Splite gate technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords with GR = 2.2mDS(on) (TYP)1the RoHS standard.3 SI = 180AD2 Features Fast switching Low o
Другие MOSFET... I25N10 , I50N06 , I630 , I640 , I740 , I80N06 , ID120N10ZR , IN6005 , TK10A60D , N6005B , N6005D , FBM80N70P , FBM80N70B , FBM85N80P , FBM85N80B , JMSL0315AP , JMSL0315APD .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM12T08C | AGM1099EL | AGM1095M | AGM628DM1 | AGM628D | AGM628AP | AGMH603H | AGMH6035D | AGMH6018C | AGMH12N10C | AGMH12H05H | AGMH10P15D | AGMH10P15C | AP60P02D | AP60N06F | AP60N04NF
Popular searches
c3229 | c2078 transistor | 2sc458 transistors | 2sa992 | 2sa970 | a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent


