FBM80N70B Todos los transistores

 

FBM80N70B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FBM80N70B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de FBM80N70B MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FBM80N70B Datasheet (PDF)

 6.1. Size:1371K  1
 fbm80n70.pdf pdf_icon

FBM80N70B

FBM@FBM80N70P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 70V/80ARDS(ON)= 6.0 m (typ.) @ VGS=10V100% avalanche tested Reliable and RuggedSDG Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGTO-263-2LTO-263-2LTO-220FB-3LTO-220FB-3LApplicationsD Switching application Power Management for Inverter Systems.GN-Channel M

Otros transistores... I740 , I80N06 , ID120N10ZR , IN6005 , N6005 , N6005B , N6005D , FBM80N70P , IRLB4132 , FBM85N80P , FBM85N80B , JMSL0315AP , JMSL0315APD , JMSL0315ARD , JMSL0315AU , JMSL0315AUD , JMSL0315AV .

 

 
Back to Top

 


 
.