Справочник MOSFET. FBM80N70B

 

FBM80N70B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FBM80N70B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 88 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для FBM80N70B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FBM80N70B Datasheet (PDF)

 6.1. Size:1371K  1
 fbm80n70.pdf pdf_icon

FBM80N70B

FBM@FBM80N70P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 70V/80ARDS(ON)= 6.0 m (typ.) @ VGS=10V100% avalanche tested Reliable and RuggedSDG Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGTO-263-2LTO-263-2LTO-220FB-3LTO-220FB-3LApplicationsD Switching application Power Management for Inverter Systems.GN-Channel M

Другие MOSFET... I740 , I80N06 , ID120N10ZR , IN6005 , N6005 , N6005B , N6005D , FBM80N70P , IRLB4132 , FBM85N80P , FBM85N80B , JMSL0315AP , JMSL0315APD , JMSL0315ARD , JMSL0315AU , JMSL0315AUD , JMSL0315AV .

 

 
Back to Top

 


 
.