JMSL0315AV Todos los transistores

 

JMSL0315AV MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSL0315AV

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 363 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: U-DFN2020-6L

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JMSL0315AV datasheet

 ..1. Size:276K  jiejie micro
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JMSL0315AV

JMSL0315AV 30V 7.2m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 30 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 22 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 7.2 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 10.5 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Manage

 5.1. Size:303K  jiejie micro
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JMSL0315AV

JMSL0315AU 30V 7.0m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 30 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS(th)_Typ 1.7 V Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = 10V) (1) 43 A Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 7.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 10.6 m Applications Power Mgmt. in Computing, C

 5.2. Size:307K  jiejie micro
jmsl0315apd.pdf pdf_icon

JMSL0315AV

JMSL0315APD 30V 9.5m Dual N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 30 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 12.4 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 9.5 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 12.3 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Mot

 5.3. Size:343K  jiejie micro
jmsl0315ard.pdf pdf_icon

JMSL0315AV

JMSL0315ARD 30V 6.5m Dual N-Ch Power MOSFET Features Product Summary (Q1 & Q2) Parameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS 30 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 37 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 6.5 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 10.0 m Halogen-free and RoHS-compliant Appli

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History: ZXMN6A09G | APT50M50L2FLLG | G30N04D3

 

 

 


History: ZXMN6A09G | APT50M50L2FLLG | G30N04D3

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