Справочник MOSFET. JMSL0315AV

 

JMSL0315AV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSL0315AV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 363 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: U-DFN2020-6L
 

 Аналог (замена) для JMSL0315AV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0315AV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:276K  jiejie micro
 jmsl0315av.pdf pdf_icon

JMSL0315AV

JMSL0315AV30V 7.2m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low RDS(ON) VDS30 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 22 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)7.2 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)10.5 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Manage

 5.1. Size:303K  jiejie micro
 jmsl0315au.pdf pdf_icon

JMSL0315AV

JMSL0315AU30V 7.0m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS30 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS(th)_Typ1.7 V Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = 10V) (1) 43 A Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)7.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)10.6 mApplications Power Mgmt. in Computing, C

 5.2. Size:307K  jiejie micro
 jmsl0315apd.pdf pdf_icon

JMSL0315AV

JMSL0315APD30V 9.5m Dual N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low RDS(ON) VDS30 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 12.4 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 9.5 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)12.3 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Mot

 5.3. Size:343K  jiejie micro
 jmsl0315ard.pdf pdf_icon

JMSL0315AV

JMSL0315ARD30V 6.5m Dual N-Ch Power MOSFETFeatures Product Summary (Q1 & Q2)Parameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS30 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 37 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)6.5 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)10.0 m Halogen-free and RoHS-compliantAppli

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FBM80N70B , FBM85N80P , FBM85N80B , JMSL0315AP , JMSL0315APD , JMSL0315ARD , JMSL0315AU , JMSL0315AUD , 10N65 , JMSL0401AG , JMSL0401AGQ , JMSL0401BG , JMSL0401BGQ , JMSH0602AC , JMSH0602AE , JMSH0602AEQ , JMSH0602AG .

History: IQE006NE2LM5CG | IRFB3607

 

 
Back to Top

 


 
.