JMSL0401AGQ Todos los transistores

 

JMSL0401AGQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL0401AGQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 198 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1607 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 

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JMSL0401AGQ Datasheet (PDF)

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JMSL0401AGQ

JMSL0401AGQ40V 1.3mW N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 198 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.3 mW RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)1.7 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualifi

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JMSL0401AGQ

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JMSL0401AGQ

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