JMSL0401AGQ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMSL0401AGQ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 198 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1607 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
Encapsulados: PDFN5X6-8L
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JMSL0401AGQ datasheet
jmsl0401agq.pdf
JMSL0401AGQ 40V 1.3mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 198 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.3 mW RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 1.7 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualifi
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History: 4N70L-TM3-T | G16P03S | MEE4298K-G
History: 4N70L-TM3-T | G16P03S | MEE4298K-G
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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