JMSL0401AGQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMSL0401AGQ
Código: SL0401AQ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 198 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 47 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1607 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
Búsqueda de reemplazo de JMSL0401AGQ MOSFET
JMSL0401AGQ Datasheet (PDF)
jmsl0401agq.pdf

JMSL0401AGQ40V 1.3mW N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 198 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.3 mW RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)1.7 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualifi
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