HUFA75344S3 Todos los transistores

 

HUFA75344S3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HUFA75344S3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 285 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262 I2PAK
 

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HUFA75344S3 Datasheet (PDF)

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HUFA75344S3

HUFA75344G3, HUFA75344P3, HUFA75344S3S,HUFA75344S3Data Sheet December 200475A, 55V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 75A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - Thermal Impedance PSPICE a

 6.1. Size:207K  fairchild semi
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HUFA75344S3

HUFA75343G3, HUFA75343P3, HUFA75343S3SData Sheet December 200175A, 55V, 0.009 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 75A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensating PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - Thermal Impedance PSPICE and SABER M

 6.2. Size:571K  fairchild semi
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HUFA75344S3

HUFA75345G3, HUFA75345P3, HUFA75345S3SData Sheet June 200375A, 55V, 0.007 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 75A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - Thermal Impedance SPICE and SABER Models a

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History: FQB5N60CTM_WS | OSG60R074HZF | NCEP055N10U | NCE65N680I | NCE30P12S | PS75N75 | STP19N05L

 

 
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