JBE112Q MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JBE112Q
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 284 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 110 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 220 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1494 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0031 Ohm
Encapsulados: TO263
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JBE112Q datasheet
jbe112q.pdf
110V, 220A, 2.2m N-channel Power SGT MOSFET JBE112Q Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 220 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.2 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-26
jbe112t.pdf
110V, 199A, 2.3m N-channel Power SGT MOSFET JBE112T Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 110 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 199 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.3 mW Applications Load Switch PWM Application Power Manage
jbe111p.pdf
110V, 294A, 2.0m N-channel Power SGT MOSFET JBE111P Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 294 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.0 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-26
jbe113p.pdf
100V, 175A, 3.2m N-channel Power SGT MOSFET JBE113P Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 175 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.2 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S Schem
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History: BSC080N03MS | BRI2N70 | AP0103GP-HF | SML20B56 | SWD088R06VT | 2SK1212-01R | SWB12N65D
History: BSC080N03MS | BRI2N70 | AP0103GP-HF | SML20B56 | SWD088R06VT | 2SK1212-01R | SWB12N65D
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Liste
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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