JBE112Q - описание и поиск аналогов

 

JBE112Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: JBE112Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 284 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 110 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 220 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1494 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0031 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для JBE112Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JBE112Q даташит

 ..1. Size:1343K  jiejie micro
jbe112q.pdfpdf_icon

JBE112Q

110V, 220A, 2.2m N-channel Power SGT MOSFET JBE112Q Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 220 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.2 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-26

 8.1. Size:1231K  jiejie micro
jbe112t.pdfpdf_icon

JBE112Q

110V, 199A, 2.3m N-channel Power SGT MOSFET JBE112T Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 110 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 199 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.3 mW Applications Load Switch PWM Application Power Manage

 9.1. Size:1340K  jiejie micro
jbe111p.pdfpdf_icon

JBE112Q

110V, 294A, 2.0m N-channel Power SGT MOSFET JBE111P Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 294 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.0 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-26

 9.2. Size:1242K  jiejie micro
jbe113p.pdfpdf_icon

JBE112Q

100V, 175A, 3.2m N-channel Power SGT MOSFET JBE113P Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 175 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.2 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S Schem

Другие MOSFET... JMSH0602PG , JMSH0602PGQ , JMSH0602PK , JBE102G , JBE102T , JBE102Y , JBE103T , JBE111P , IRF1405 , JBE112T , JBE113P , JBL083M , JBL101N , JMSH0605AGD , JMSH0605AGDQ , JMSH0606AG , JMSH0606AGQ .

History: JMSH0606PC | SDF920NE | UM6K34N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.