JBE113P Todos los transistores

 

JBE113P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JBE113P
   Código: BE113P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 175 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 88 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1073 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0041 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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JBE113P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1242K  jiejie micro
 jbe113p.pdf pdf_icon

JBE113P

100V, 175A, 3.2m N-channel Power SGT MOSFETJBE113PProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 175 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.2 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG SSchem

 9.1. Size:1231K  jiejie micro
 jbe112t.pdf pdf_icon

JBE113P

110V, 199A, 2.3m N-channel Power SGT MOSFETJBE112TProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TESTEDVDSS 110 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 199 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.3 mWApplications Load Switch PWM Application Power Manage

 9.2. Size:1343K  jiejie micro
 jbe112q.pdf pdf_icon

JBE113P

110V, 220A, 2.2m N-channel Power SGT MOSFETJBE112QProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 110 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 220 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.2 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-26

 9.3. Size:1340K  jiejie micro
 jbe111p.pdf pdf_icon

JBE113P

110V, 294A, 2.0m N-channel Power SGT MOSFETJBE111PProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 110 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 294 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.0 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-26

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