JBL101N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JBL101N
Código: BL101N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 313 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 325 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 230 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 67 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2099 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0016 Ohm
Paquete / Cubierta: POWER-JE-10X12
Búsqueda de reemplazo de JBL101N MOSFET
JBL101N Datasheet (PDF)
jbl101n.pdf
JBL101N100V 1.2mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 325 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 1.2 mWApplications Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications Current Switching in DC
jbl102t.pdf
JBL102T100V 1.8mW TOLL N-Ch Power MOSFETFeatures Product Summary Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameter Value Unit VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 3.0 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (2) 272 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.8 mW Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Telecom., Indust
jbl102e.pdf
JBL102E100V 2.0mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th) 3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 246 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 2.0 mW Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliantApplications Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Robotics Curr
jbl102y.pdf
JBL102Y100V 2.7mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.0 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 206 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)2.7 Pb-free Lead Plating m
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