JMSH0605AGDQ Todos los transistores

 

JMSH0605AGDQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH0605AGDQ
   Código: H0605ADQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 34 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 940 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L-D
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

JMSH0605AGDQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:317K  jiejie micro
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JMSH0605AGDQ

JMSH0605AGDQ60V 4.7m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct Summary Ultra-low RDS(ON)Parameter Value Unit VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 56 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)4.7 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive ApplicationsPDFN5x6-8L

 3.1. Size:316K  jiejie micro
jmsh0605agd.pdf pdf_icon

JMSH0605AGDQ

JMSH0605AGD60V 4.7m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct Summary Ultra-low RDS(ON) Parameter Value Unit VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 54 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)4.7 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial Auto

 7.1. Size:1293K  jiejie micro
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JMSH0605AGDQ

60V, 112A, 1.9m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0602PKProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TESTEDVDSS 60 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 2.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 112 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.9 mWApplications Load Switch PWM Application Power Manag

 7.2. Size:349K  jiejie micro
jmsh0606ak.pdf pdf_icon

JMSH0605AGDQ

JMSH0606AK60V 4.4m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 90 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 4.4 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial Autom

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