JMSH0606AGQ Todos los transistores

 

JMSH0606AGQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH0606AGQ
   Código: SH0606AQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 103 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 34 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 940 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0047 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 

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JMSH0606AGQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:350K  jiejie micro
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JMSH0606AGQ

JMSH0606AGQ60V 3.7m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 103 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)3.7 m Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive ApplicationsPDFN5x6-

 4.1. Size:338K  jiejie micro
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JMSH0606AGQ

JMSH0606AG60V 3.7m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 98 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 3.7 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial Autom

 5.1. Size:349K  jiejie micro
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JMSH0606AGQ

JMSH0606AK60V 4.4m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 90 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 4.4 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial Autom

 5.2. Size:386K  jiejie micro
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JMSH0606AGQ

JMSH0606AKQ60V 4.4m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 95 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)4.4 m Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive ApplicationsTO-252-3L T

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