JMSH0606AGQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMSH0606AGQ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 103 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 940 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0047 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
Búsqueda de reemplazo de JMSH0606AGQ MOSFET
JMSH0606AGQ Datasheet (PDF)
jmsh0606agq.pdf

JMSH0606AGQ60V 3.7m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 103 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)3.7 m Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive ApplicationsPDFN5x6-
jmsh0606ag.pdf

JMSH0606AG60V 3.7m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 98 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 3.7 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial Autom
jmsh0606ak.pdf

JMSH0606AK60V 4.4m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 90 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 4.4 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial Autom
jmsh0606akq.pdf

JMSH0606AKQ60V 4.4m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 95 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)4.4 m Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive ApplicationsTO-252-3L T
Otros transistores... JBE112Q , JBE112T , JBE113P , JBL083M , JBL101N , JMSH0605AGD , JMSH0605AGDQ , JMSH0606AG , HY1906P , JMSH0606AK , JMSH0606AKQ , JMSH0606AU , JMSH0606PC , JMSH0606PG , JMSH0606PGD , JMSH0606PGDQ , JMSH0606PGQ .
History: IRFR310T | FC6B22090L | JMSH0602PG | WMO22N50C4 | IAUC100N04S6N022 | R6046FNZ1 | IRF533FI
History: IRFR310T | FC6B22090L | JMSH0602PG | WMO22N50C4 | IAUC100N04S6N022 | R6046FNZ1 | IRF533FI



Liste
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MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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