JMSH0606AGQ - аналоги и даташиты транзистора

 

JMSH0606AGQ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSH0606AGQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 103 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0047 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для JMSH0606AGQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH0606AGQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:350K  jiejie micro
 jmsh0606agq.pdf pdf_icon

JMSH0606AGQ

JMSH0606AGQ60V 3.7m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 103 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)3.7 m Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive ApplicationsPDFN5x6-

 4.1. Size:338K  jiejie micro
 jmsh0606ag.pdf pdf_icon

JMSH0606AGQ

JMSH0606AG60V 3.7m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 98 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 3.7 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial Autom

 5.1. Size:349K  jiejie micro
 jmsh0606ak.pdf pdf_icon

JMSH0606AGQ

JMSH0606AK60V 4.4m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 90 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 4.4 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial Autom

 5.2. Size:386K  jiejie micro
 jmsh0606akq.pdf pdf_icon

JMSH0606AGQ

JMSH0606AKQ60V 4.4m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 95 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)4.4 m Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive ApplicationsTO-252-3L T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JBE112Q , JBE112T , JBE113P , JBL083M , JBL101N , JMSH0605AGD , JMSH0605AGDQ , JMSH0606AG , HY1906P , JMSH0606AK , JMSH0606AKQ , JMSH0606AU , JMSH0606PC , JMSH0606PG , JMSH0606PGD , JMSH0606PGDQ , JMSH0606PGQ .

History: FKV660S | 2SK2025 | 2SK3705

 

 
Back to Top

 


 
.