JMSH0606PGQ Todos los transistores

 

JMSH0606PGQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH0606PGQ
   Código: SH0606PQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 118 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 29 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 907 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0051 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 

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JMSH0606PGQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1201K  jiejie micro
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JMSH0606PGQ

60V, 118A, 4.5m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0606PGQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameters Value Unit Low Gate ChargeVDSS 60 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 2.8 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 118 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.5 mW AEC-Q101 QualifiedApplications Load Switch PWM Applicatio

 4.1. Size:1179K  jiejie micro
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JMSH0606PGQ

60V, 88A, 4.1m Dual N-channel Power SGT MOSFETJMSH0606PGDProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.7 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 88 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.1 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementPDFN5X6-8L

 4.2. Size:1190K  jiejie micro
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JMSH0606PGQ

60V, 114A, 4.5m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0606PGProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 114 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.5 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG SPDFN

 4.3. Size:1176K  jiejie micro
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JMSH0606PGQ

60V, 61A, 4.1m Dual N-channel Power SGT MOSFETJMSH0606PGDQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate ChargeVDSS 60 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 2.7 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 61 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.1 mW AEC-Q101 QualifiedApplications Load Switch PWM Appli

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