Справочник MOSFET. JMSH0606PGQ

 

JMSH0606PGQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSH0606PGQ
   Маркировка: SH0606PQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.6 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 118 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 29 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 907 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0051 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для JMSH0606PGQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH0606PGQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1201K  jiejie micro
 jmsh0606pgq.pdf pdf_icon

JMSH0606PGQ

60V, 118A, 4.5m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0606PGQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameters Value Unit Low Gate ChargeVDSS 60 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 2.8 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 118 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.5 mW AEC-Q101 QualifiedApplications Load Switch PWM Applicatio

 4.1. Size:1179K  jiejie micro
 jmsh0606pgd.pdf pdf_icon

JMSH0606PGQ

60V, 88A, 4.1m Dual N-channel Power SGT MOSFETJMSH0606PGDProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.7 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 88 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.1 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementPDFN5X6-8L

 4.2. Size:1190K  jiejie micro
 jmsh0606pg.pdf pdf_icon

JMSH0606PGQ

60V, 114A, 4.5m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0606PGProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 114 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.5 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG SPDFN

 4.3. Size:1176K  jiejie micro
 jmsh0606pgdq.pdf pdf_icon

JMSH0606PGQ

60V, 61A, 4.1m Dual N-channel Power SGT MOSFETJMSH0606PGDQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate ChargeVDSS 60 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 2.7 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 61 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.1 mW AEC-Q101 QualifiedApplications Load Switch PWM Appli

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: JMSH0606AU

 

 
Back to Top

 


 
.