JMSH0606PGQ - описание и поиск аналогов

 

JMSH0606PGQ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: JMSH0606PGQ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 118 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 907 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0051 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

Аналог (замена) для JMSH0606PGQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH0606PGQ даташит

 ..1. Size:1201K  jiejie micro
 jmsh0606pgq.pdf pdf_icon

JMSH0606PGQ

60V, 118A, 4.5m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0606PGQ Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate Charge VDSS 60 V 100% UIS Tested VGS(th)_Typ 2.8 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 118 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.5 mW AEC-Q101 Qualified Applications Load Switch PWM Applicatio

 4.1. Size:1179K  jiejie micro
 jmsh0606pgd.pdf pdf_icon

JMSH0606PGQ

60V, 88A, 4.1m Dual N-channel Power SGT MOSFET JMSH0606PGD Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 88 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.1 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management PDFN5X6-8L

 4.2. Size:1190K  jiejie micro
 jmsh0606pg.pdf pdf_icon

JMSH0606PGQ

60V, 114A, 4.5m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0606PG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 114 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.5 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S PDFN

 4.3. Size:1176K  jiejie micro
 jmsh0606pgdq.pdf pdf_icon

JMSH0606PGQ

60V, 61A, 4.1m Dual N-channel Power SGT MOSFET JMSH0606PGDQ Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate Charge VDSS 60 V 100% UIS Tested VGS(th)_Typ 2.7 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 61 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.1 mW AEC-Q101 Qualified Applications Load Switch PWM Appli

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMSH0606AGQ , JMSH0606AK , JMSH0606AKQ , JMSH0606AU , JMSH0606PC , JMSH0606PG , JMSH0606PGD , JMSH0606PGDQ , IRFP064N , JMSH0606PK , JMSH0606PU , JMSH1008AC , JMSH1008AE , JMSH1008AG , JMSH1008AGQ , JMSH1008AKQ , JMSH1008PC .

History: BRD7N60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.