JMSH1008AE Todos los transistores

 

JMSH1008AE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH1008AE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 112 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 445 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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JMSH1008AE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1068K  jiejie micro
jmsh1008ac jmsh1008ae.pdf pdf_icon

JMSH1008AE

JMSH1008ACJMSH1008AE100V 6.8mW N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS Tested, 100% R Testedg ID (@ VGS = 10V) (1) 112 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 6.8 mW Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Indu

 5.1. Size:306K  jiejie micro
jmsh1008agq.pdf pdf_icon

JMSH1008AE

JMSH1008AGQ100V 6.2m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 87 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 6.2 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 5.2. Size:350K  jiejie micro
jmsh1008akq.pdf pdf_icon

JMSH1008AE

JMSH1008AKQ100V 6.9m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultralow ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 92 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)6.9 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 5.3. Size:290K  jiejie micro
jmsh1008ag.pdf pdf_icon

JMSH1008AE

JMSH1008AG100V 6.2m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 92 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 6.2 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial Automation

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