JMSH1008AKQ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMSH1008AKQ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 92 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 368 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0083 Ohm
Encapsulados: TO252
Búsqueda de reemplazo de JMSH1008AKQ MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
JMSH1008AKQ datasheet
jmsh1008akq.pdf
JMSH1008AKQ 100V 6.9m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 92 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 6.9 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications
jmsh1008agq.pdf
JMSH1008AGQ 100V 6.2m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 87 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 6.2 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications
jmsh1008ac jmsh1008ae.pdf
JMSH1008AC JMSH1008AE 100V 6.8mW N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS Tested, 100% R Tested g ID (@ VGS = 10V) (1) 112 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 6.8 mW Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Indu
jmsh1008ag.pdf
JMSH1008AG 100V 6.2m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th) 2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 92 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 6.2 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Industrial Automation
Otros transistores... JMSH0606PGDQ , JMSH0606PGQ , JMSH0606PK , JMSH0606PU , JMSH1008AC , JMSH1008AE , JMSH1008AG , JMSH1008AGQ , 20N60 , JMSH1008PC , JMSH1008PE , JMSH1008PG , JMSH1008PGQ , JMSH1008PK , JMSL0307AG , JMSL0307AV , JMSL030SAG .
History: G30N04D3 | APT50M50L2FLLG | ZXMN6A09G
History: G30N04D3 | APT50M50L2FLLG | ZXMN6A09G
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031 | irfp150n