Справочник MOSFET. JMSH1008AKQ

 

JMSH1008AKQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSH1008AKQ
   Маркировка: SH1008AQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 92 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 34 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 12.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 368 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0083 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для JMSH1008AKQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH1008AKQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:350K  jiejie micro
 jmsh1008akq.pdf pdf_icon

JMSH1008AKQ

JMSH1008AKQ100V 6.9m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultralow ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 92 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)6.9 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 5.1. Size:306K  jiejie micro
 jmsh1008agq.pdf pdf_icon

JMSH1008AKQ

JMSH1008AGQ100V 6.2m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 87 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 6.2 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 5.2. Size:1068K  jiejie micro
 jmsh1008ac jmsh1008ae.pdf pdf_icon

JMSH1008AKQ

JMSH1008ACJMSH1008AE100V 6.8mW N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS Tested, 100% R Testedg ID (@ VGS = 10V) (1) 112 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 6.8 mW Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Indu

 5.3. Size:290K  jiejie micro
 jmsh1008ag.pdf pdf_icon

JMSH1008AKQ

JMSH1008AG100V 6.2m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 92 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 6.2 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial Automation

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.