JMPF840BJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMPF840BJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 113 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.97 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de JMPF840BJ MOSFET
JMPF840BJ Datasheet (PDF)
jmpf840bj.pdf
JMPF840BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 500V, 9A Load SwitchRDS(ON)
jmpf8n60bj.pdf
JMPF8N60BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 600V, 8A Load SwitchRDS(ON)
Otros transistores... JMPF20N60BJ , JMPF20N65BJ , JMPF25N50BJ , JMPF4N60BJ , JMPF4N65BJ , JMPF5N50BJ , JMPF630BJ , JMPF7N65BJ , K3569 , JMPF8N60BJ , JMPL1050AE , JMPL1050AG , JMPL1050AGQ , JMPL1050AK , JMPL1050AKQ , JMPL1050AP , JMPL1050APD .
History: 2SK1119 | LNA2306LT1G | BSC017N04NSG | JMSH2010PE | AO4928 | ZXMP10A16K | WSP4099
History: 2SK1119 | LNA2306LT1G | BSC017N04NSG | JMSH2010PE | AO4928 | ZXMP10A16K | WSP4099
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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