JMPL1050APD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMPL1050APD  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 222 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: SOP8

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de JMPL1050APD MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JMPL1050APD datasheet

 ..1. Size:365K  jiejie micro
 jmpl1050apd.pdf pdf_icon

JMPL1050APD

JMPL1050APD -100V 39m Dual P-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low On-Resistance VDS -100 V Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) VGS(th)_Typ -2.0 V Pb-Free Lead Plating ID (@ VGS = -10V) (1) -6.6 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = -10V) 39 RoHS and Halogen-Free Compliant m RDS(ON)_Typ (@ VGS = -4.5V) 57 m 100% UIS Tes

 4.1. Size:376K  jiejie micro
 jmpl1050ap.pdf pdf_icon

JMPL1050APD

JMPL1050AP -100V 39m P-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low On-Resistance VDS -100 V Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) VGS(th)_Typ -2.0 V Pb-Free Lead Plating ID (@ VGS = -10V) (1) -6.3 A RoHS and Halogen-Free Compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = -10V) 39 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = -4.5V) 57 m 100% UIS Tested, 100%

 5.1. Size:356K  jiejie micro
 jmpl1050ak.pdf pdf_icon

JMPL1050APD

JMPL1050AK -100V 37m P-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low On-Resistance VDS -100 V Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) VGS(th)_Typ -2.0 V Pb-Free Lead Plating ID (@ VGS = -10V) (1) -30 A RoHS and Halogen-Free Compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = -10V) 37 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = -4.5V) 50 m 100% UIS Tested, 100%

 5.2. Size:348K  jiejie micro
 jmpl1050akq.pdf pdf_icon

JMPL1050APD

JMPL1050AKQ -100V 37m P-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS -100 V Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) VGS(th)_Typ -2.0 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = -10V) (1) -36 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = -10V) 37 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = -4.5V) 50 m Halogen-free and RoHS-

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... JMPF840BJ, JMPF8N60BJ, JMPL1050AE, JMPL1050AG, JMPL1050AGQ, JMPL1050AK, JMPL1050AKQ, JMPL1050AP, IRFP260, JMPL1050AU, JMPL1050AUQ, JMPL1050AY, JMPL1050PG, JMPL1050PK, JMPL1050PU, JMSH2010BC, JMSH2010BE