JMSH2010BE Todos los transistores

 

JMSH2010BE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH2010BE
   Código: SH2010B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 129 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 48 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 436 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0107 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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JMSH2010BE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:375K  jiejie micro
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JMSH2010BE

JMSH2010BCJMSH2010BE200V 9.1mN-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameter Value Unit VDS200 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ3.3 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 129 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)9.1 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management

 5.1. Size:539K  jiejie micro
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JMSH2010BE

JMSH2010BS200V 8.8mW N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameter Value Unit VDS200 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ3.3 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 130 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)8.8 mW Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE,

 5.2. Size:387K  jiejie micro
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JMSH2010BE

JMSH2010BTL200V 8.0m TOLL N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameter Value Unit VDS200 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ3.3 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (2) 118 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)8.0 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Compu

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JMSH2010BE

200V, 109A, 9.1m N-channel Power SGT MOSFETJMSH2010PEProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 200 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 109 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 9.1 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO

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