JMSH2010PS Todos los transistores

 

JMSH2010PS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSH2010PS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 367 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 122 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 455 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0096 Ohm

Encapsulados: TO247

 Búsqueda de reemplazo de JMSH2010PS MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JMSH2010PS datasheet

 ..1. Size:539K  jiejie micro
 jmsh2010ps.pdf pdf_icon

JMSH2010PS

JMSH2010PS 200V 8.0mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 200 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 3.0 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 122 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 8.0 mW Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Management in Computing, CE, IE

 5.1. Size:1343K  jiejie micro
 jmsh2010pe.pdf pdf_icon

JMSH2010PS

200V, 109A, 9.1m N-channel Power SGT MOSFET JMSH2010PE Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 200 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 109 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 9.1 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO

 5.2. Size:1291K  jiejie micro
 jmsh2010pcq.pdf pdf_icon

JMSH2010PS

200V, 100A, 8.6m N-channel Power Strong MOSFET JMSH2010PCQ Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate Charge VDSS 200 V High Current Carrying Capability VGS(th)_Typ 3.0 V Fully Characterized UIS and SOA ID(@VGS=10V) 100 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 8.6 mW AEC-Q101 Qualified Application

 5.3. Size:555K  jiejie micro
 jmsh2010ptl.pdf pdf_icon

JMSH2010PS

JMSH2010PTL 200V 7.2mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 200 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 3.0 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 119 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 7.2 mW Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Management in Computing, CE, I

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... JMPL1050PU , JMSH2010BC , JMSH2010BE , JMSH2010BS , JMSH2010BTL , JMSH2010PC , JMSH2010PCQ , JMSH2010PE , STP80NF70 , JMSH2010PTL , JMSL0301AG , JMSL0301TG , JMSL0302AK , JMSL0302BU , JMSL0302DG , JMSL0302PG2 , JMSL0302PU .

History: IPD70R2K0CE | JMSL0315AU | SDW3045 | H5N60D | SI2338DS | JMPL0648AK | SMF16N65

 

 

 

 

↑ Back to Top
.