JMH65R980AF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMH65R980AF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.98 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de JMH65R980AF MOSFET
JMH65R980AF Datasheet (PDF)
jmh65r980af.pdf

JMH65R980AF650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)895 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V0.68 J H
jmh65r980acfp.pdf

JMH65R980ACFP650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)895 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V0.68 J
jmh65r980akq.pdf

JMH65R980AKQ650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product Summary Extremely Low Gate Charge Parameter Value Unit VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)820 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V0.68 J H
jmh65r980apln.pdf

JMH65R980APLN650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)890 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V0.68 J
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .



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