JMH65R980AF Todos los transistores

 

JMH65R980AF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMH65R980AF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.98 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de JMH65R980AF MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

JMH65R980AF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:323K  jiejie micro
 jmh65r980af.pdf pdf_icon

JMH65R980AF

JMH65R980AF650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)895 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V0.68 J H

 4.1. Size:315K  jiejie micro
 jmh65r980acfp.pdf pdf_icon

JMH65R980AF

JMH65R980ACFP650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)895 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V0.68 J

 4.2. Size:338K  jiejie micro
 jmh65r980akq.pdf pdf_icon

JMH65R980AF

JMH65R980AKQ650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product Summary Extremely Low Gate Charge Parameter Value Unit VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)820 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V0.68 J H

 4.3. Size:323K  jiejie micro
 jmh65r980apln.pdf pdf_icon

JMH65R980AF

JMH65R980APLN650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)890 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V0.68 J

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... JMPL0648AU , JMPL0648PKQ , JMPL1025AE , JMPL1025AK , JMH65R600MF , JMH65R600MK , JMH65R640AK , JMH65R980ACFP , K2611 , JMH65R980AK , JMH65R980AKQ , JMH65R980APLN , JMH70R430AF , JMH70R430AK , JBE083M , JBE083NS , JBE084M .

History: JBE083NS

 

 
Back to Top

 


 
.