JMH65R980AF - описание и поиск аналогов

 

JMH65R980AF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: JMH65R980AF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.98 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для JMH65R980AF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMH65R980AF даташит

 ..1. Size:323K  jiejie micro
 jmh65r980af.pdf pdf_icon

JMH65R980AF

JMH65R980AF 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 895 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V 0.68 J H

 4.1. Size:315K  jiejie micro
 jmh65r980acfp.pdf pdf_icon

JMH65R980AF

JMH65R980ACFP 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 895 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V 0.68 J

 4.2. Size:338K  jiejie micro
 jmh65r980akq.pdf pdf_icon

JMH65R980AF

JMH65R980AKQ 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Extremely Low Gate Charge Parameter Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 820 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V 0.68 J H

 4.3. Size:323K  jiejie micro
 jmh65r980apln.pdf pdf_icon

JMH65R980AF

JMH65R980APLN 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 890 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V 0.68 J

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMPL0648AU , JMPL0648PKQ , JMPL1025AE , JMPL1025AK , JMH65R600MF , JMH65R600MK , JMH65R640AK , JMH65R980ACFP , 8N60 , JMH65R980AK , JMH65R980AKQ , JMH65R980APLN , JMH70R430AF , JMH70R430AK , JBE083M , JBE083NS , JBE084M .

History: HX3401A | MMN400A006U1 | XP161A1265PR-G | 2SK2551 | AOW10N60 | G18N20K | SMNY2Z30

 

 

 

 

↑ Back to Top
.