JMH70R430AK MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMH70R430AK
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 181 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.422 Ohm
Encapsulados: TO252
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JMH70R430AK datasheet
jmh70r430ak.pdf
JMH70R430AK 700V 352m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 700 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 12 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 352 m Eoss@400V 3.6 J Pb-free Lead Plating Hal
jmh70r430af.pdf
JMH70R430AF 700V 350mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 700 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 11 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 350 mW Eoss@400V 3.6 mJ Pb-free Lead Plating Halogen-f
Otros transistores... JMH65R600MK , JMH65R640AK , JMH65R980ACFP , JMH65R980AF , JMH65R980AK , JMH65R980AKQ , JMH65R980APLN , JMH70R430AF , STP65NF06 , JBE083M , JBE083NS , JBE084M , JMSH0803AGS , JMSH0803MC , JMSH0803ME , JMSH0803MG , JMSH0803MTL .
History: BRFL24N50
History: BRFL24N50
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