JBE083M Todos los transistores

 

JBE083M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JBE083M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 268 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 199 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1224 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0037 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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JBE083M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1352K  jiejie micro
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JBE083M

80V, 199A, 2.7m N-channel Power SGT MOSFETJBE083MProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 80 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 199 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.7 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-263-

 8.1. Size:1298K  jiejie micro
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JBE083M

80V, 133A, 5.8m N-channel Power SGT MOSFETJBE083NSProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TESTEDVDSS 80 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 133 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 5.8 mWApplications Load Switch PWM Application Power Managem

 9.1. Size:566K  jiejie micro
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JBE083M

JBE084M80V 4.1mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS80 V Low Gate Charge VGS(th)3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 136 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 4.1 mW Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications

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