JBE083M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JBE083M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 268 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 199 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1224 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0037 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de JBE083M MOSFET
JBE083M Datasheet (PDF)
jbe083m.pdf

80V, 199A, 2.7m N-channel Power SGT MOSFETJBE083MProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 80 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 199 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.7 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-263-
jbe083ns.pdf

80V, 133A, 5.8m N-channel Power SGT MOSFETJBE083NSProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TESTEDVDSS 80 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 133 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 5.8 mWApplications Load Switch PWM Application Power Managem
jbe084m.pdf

JBE084M80V 4.1mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS80 V Low Gate Charge VGS(th)3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 136 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 4.1 mW Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications
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