JMSH0803MG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSH0803MG  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 179 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 162 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1224 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de JMSH0803MG MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JMSH0803MG datasheet

 ..1. Size:1291K  jiejie micro
 jmsh0803mg.pdf pdf_icon

JMSH0803MG

80V, 162A, 2.5m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0803MG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 80 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 162 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.5 mW Applications Load Switch PWM Application Power Manag

 5.1. Size:1243K  jiejie micro
 jmsh0803mc.pdf pdf_icon

JMSH0803MG

80V, 165A, 3.0m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0803MC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 165 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.0 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-22

 5.2. Size:1350K  jiejie micro
 jmsh0803me.pdf pdf_icon

JMSH0803MG

80V, 206A, 2.7m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0803ME Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 206 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.7 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-2

 5.3. Size:1258K  jiejie micro
 jmsh0803mtl.pdf pdf_icon

JMSH0803MG

80V, 253A, 2.1 m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0803MTL Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 253 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.1 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management PowerJE 10x

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... JMH70R430AF, JMH70R430AK, JBE083M, JBE083NS, JBE084M, JMSH0803AGS, JMSH0803MC, JMSH0803ME, IRF9640, JMSH0803MTL, JMSH0803NGS, JMSH0803PC, JMSH0804NC, JMSH0804NE, JMSH0804NG, JMSH0804NK, JMSH0805PC