Справочник MOSFET. JMSH0803MG

 

JMSH0803MG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSH0803MG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 179 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 162 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1224 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для JMSH0803MG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH0803MG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1291K  jiejie micro
 jmsh0803mg.pdf pdf_icon

JMSH0803MG

80V, 162A, 2.5m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0803MGProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TESTEDVDSS 80 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 162 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.5 mWApplications Load Switch PWM Application Power Manag

 5.1. Size:1243K  jiejie micro
 jmsh0803mc.pdf pdf_icon

JMSH0803MG

80V, 165A, 3.0m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0803MCProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 80 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 165 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.0 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-22

 5.2. Size:1350K  jiejie micro
 jmsh0803me.pdf pdf_icon

JMSH0803MG

80V, 206A, 2.7m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0803MEProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 80 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 206 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.7 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-2

 5.3. Size:1258K  jiejie micro
 jmsh0803mtl.pdf pdf_icon

JMSH0803MG

80V, 253A, 2.1 m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0803MTLProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 80 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 253 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.1 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementPowerJE10x

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMH70R430AF , JMH70R430AK , JBE083M , JBE083NS , JBE084M , JMSH0803AGS , JMSH0803MC , JMSH0803ME , AON7403 , JMSH0803MTL , JMSH0803NGS , JMSH0803PC , JMSH0804NC , JMSH0804NE , JMSH0804NG , JMSH0804NK , JMSH0805PC .

History: IRFR3504Z | JFFM18N50C | IRFPS29N60LPBF

 

 
Back to Top

 


 
.