JMSH0803MTL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMSH0803MTL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 313 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 253 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1590 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0027 Ohm
Paquete / Cubierta: TOLL
Búsqueda de reemplazo de MOSFET JMSH0803MTL
Principales características: JMSH0803MTL
jmsh0803mtl.pdf
80V, 253A, 2.1 m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0803MTL Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 253 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.1 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management PowerJE 10x
jmsh0803mc.pdf
80V, 165A, 3.0m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0803MC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 165 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.0 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-22
jmsh0803me.pdf
80V, 206A, 2.7m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0803ME Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 206 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.7 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-2
jmsh0803mg.pdf
80V, 162A, 2.5m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0803MG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 80 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 162 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.5 mW Applications Load Switch PWM Application Power Manag
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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