JMSH0803MTL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMSH0803MTL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 253 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1590 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm
Тип корпуса: TOLL
Аналог (замена) для JMSH0803MTL
JMSH0803MTL Datasheet (PDF)
jmsh0803mtl.pdf

80V, 253A, 2.1 m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0803MTLProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 80 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 253 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.1 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementPowerJE10x
jmsh0803mc.pdf

80V, 165A, 3.0m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0803MCProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 80 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 165 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.0 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-22
jmsh0803me.pdf

80V, 206A, 2.7m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0803MEProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 80 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 206 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.7 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-2
jmsh0803mg.pdf

80V, 162A, 2.5m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0803MGProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TESTEDVDSS 80 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 162 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.5 mWApplications Load Switch PWM Application Power Manag
Другие MOSFET... JMH70R430AK , JBE083M , JBE083NS , JBE084M , JMSH0803AGS , JMSH0803MC , JMSH0803ME , JMSH0803MG , IRF520 , JMSH0803NGS , JMSH0803PC , JMSH0804NC , JMSH0804NE , JMSH0804NG , JMSH0804NK , JMSH0805PC , JMSH0805PE .
History: UPA1772 | 2SJ543 | TMD4N65Z | STU6N60DM2 | SMIRF5N65T2TL | MCPF07N65 | AOD423
History: UPA1772 | 2SJ543 | TMD4N65Z | STU6N60DM2 | SMIRF5N65T2TL | MCPF07N65 | AOD423



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934