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JMSH1565AUS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH1565AUS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET JMSH1565AUS

 

Principales características: JMSH1565AUS

 ..1. Size:323K  jiejie micro
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JMSH1565AUS

JMSH1565AUS 150V 54m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 150 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.2 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 14 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 54 m Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Industrial Autom

 5.1. Size:310K  jiejie micro
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JMSH1565AUS

JMSH1565AGS 150V 52m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 150 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.2 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 18 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 52 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Industrial Automa

 5.2. Size:326K  jiejie micro
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JMSH1565AUS

JMSH1565AKS 150V 52m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 150 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.2 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 18 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 52 m RoHS and Halogen-Free Compliant Applications Power Managerment in Telecom., Industrial Aut

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JMSH1565AUS

JMSH1565APS 150V 52m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 150 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.4 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 4.1 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 52 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Industrial Au

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History: ATM7N65ATE

 

 
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