JBL111P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JBL111P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 357 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 110 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 256 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1591 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm
Paquete / Cubierta: TOLL
Búsqueda de reemplazo de MOSFET JBL111P
Principales características: JBL111P
jbl111p.pdf
110V, 256A, 1.6m N-channel Power SGT MOSFET JBL111P Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 256 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.6 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management PowerJE 10x12
jbl112t.pdf
110V, 244A, 1.9m N-channel Power SGT MOSFET JBL112T Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 244 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.9 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management PowerJE 10x12
jbl113p.pdf
110V, 196A, 5.3m N-channel Power SGT MOSFET JBL113P Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 196 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.3 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=6V 5.3 mW Load Switch PWM Application Power
Otros transistores... JMSH1565APS , JMSH1565AUS , JMSH1566AG , JMSH1566AK , JMSH1566AKQ , JBL102E , JBL102T , JBL102Y , IRF3710 , JBL112T , JBL113P , JMCL0410AGD , JMCL0410AUD , JMH65R030PSFD , JMH65R040ASFD , JMH65R040ASFDQ , JMH65R040PSFD .
History: H3055LJ
History: H3055LJ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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