JBL112T Todos los transistores

 

JBL112T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JBL112T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 313 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 110 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 244 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1479 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0027 Ohm
   Paquete / Cubierta: TOLL

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET JBL112T

 

Principales características: JBL112T

 ..1. Size:1272K  jiejie micro
 jbl112t.pdf pdf_icon

JBL112T

110V, 244A, 1.9m N-channel Power SGT MOSFET JBL112T Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 244 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.9 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management PowerJE 10x12

 9.1. Size:1257K  jiejie micro
 jbl111p.pdf pdf_icon

JBL112T

110V, 256A, 1.6m N-channel Power SGT MOSFET JBL111P Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 256 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.6 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management PowerJE 10x12

 9.2. Size:1259K  jiejie micro
 jbl113p.pdf pdf_icon

JBL112T

110V, 196A, 5.3m N-channel Power SGT MOSFET JBL113P Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 196 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.3 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=6V 5.3 mW Load Switch PWM Application Power

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