JBL113P Todos los transistores

 

JBL113P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JBL113P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 313 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 110 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 196 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 915 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERJE-10X12
 

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JBL113P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1259K  jiejie micro
 jbl113p.pdf pdf_icon

JBL113P

110V, 196A, 5.3m N-channel Power SGT MOSFETJBL113PProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 110 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 196 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.3 mWApplications RDS(ON)_Typ(@VGS=6V 5.3 mW Load Switch PWM Application Power

 9.1. Size:1257K  jiejie micro
 jbl111p.pdf pdf_icon

JBL113P

110V, 256A, 1.6m N-channel Power SGT MOSFETJBL111PProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 110 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 256 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.6 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementPowerJE10x12

 9.2. Size:1272K  jiejie micro
 jbl112t.pdf pdf_icon

JBL113P

110V, 244A, 1.9m N-channel Power SGT MOSFETJBL112TProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 110 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 244 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.9 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementPowerJE10x12

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