JBL113P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JBL113P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 313 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 110 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 196 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 915 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm

Encapsulados: TOLL

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JBL113P datasheet

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JBL113P

110V, 196A, 5.3m N-channel Power SGT MOSFET JBL113P Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 196 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.3 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=6V 5.3 mW Load Switch PWM Application Power

 9.1. Size:1257K  jiejie micro
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JBL113P

110V, 256A, 1.6m N-channel Power SGT MOSFET JBL111P Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 256 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.6 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management PowerJE 10x12

 9.2. Size:1272K  jiejie micro
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JBL113P

110V, 244A, 1.9m N-channel Power SGT MOSFET JBL112T Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 244 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.9 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management PowerJE 10x12

Otros transistores... JMSH1566AG, JMSH1566AK, JMSH1566AKQ, JBL102E, JBL102T, JBL102Y, JBL111P, JBL112T, AON6414A, JMCL0410AGD, JMCL0410AUD, JMH65R030PSFD, JMH65R040ASFD, JMH65R040ASFDQ, JMH65R040PSFD, JMH65R070PCFD, JMH65R070PFFD